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Nb3GeTe6晶体
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| 产品参数 | 参考文献
Monconduit, L., et al. "Short Te… ︁ Te bonding contacts in a new layered ternary telluride: Synthesis and crystal structure of 2D Nb3GexTe6 (x≃ 0.9)." Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 616.10 (1992): 177-182. Canadell, E., et al. "Importance of the interlayer Te... Te contacts on the electronic structure of the layered niobium germanium telluride Nb3Ge0. 9Te6." Inorganic Chemistry 32.1 (1993): 10-12. |
| 性状 | 材料名称
Name Nb3GeTe6 性质分类 Electrical properties 金属性 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 稳定，不需要特殊条件保存 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号