Nb2SiTe4晶体

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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献

1,Zhao, Mingxing, et al. "Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response." ACS nano 13.9 (2019): 10705-10710.

2,Zhang, Ting, et al. "Two-dimensional ferroelastic semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with promising electronic properties." The Journal of Physical Chemistry Letters (2019).

3,Fang, Wen-Yu, et al. "Nb 2 SiTe 4 and Nb 2 GeTe 4: Unexplored 2D Ternary Layered Tellurides with High Stability, Narrow Band Gap and High Electron Mobility." Journal of Electronic Materials 49.2 (2020): 959-968.
性状 材料名称

Name





Nb2SiTe4



性质分类

Electrical properties


半导体,红外材料,ferroelastic semiconductors
禁带宽度

Bangap

0.2 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation




Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定性较好,但需要避开水氧保存
贮存
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