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MoO3 晶体
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| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 13081332831-1片装 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥0 | 请登录 |
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| 产品参数 | 参考文献
1， Das, Tilak, Sergio Tosoni, and Gianfranco Pacchioni. "Structural and electronic properties of bulk and ultrathin layers of V2O5 and MoO3." Computational Materials Science 163 (2019): 230-240. 2，Dang, Yang, et al. "Solution processed hybrid Graphene-MoO3 hole transport layers for improved performance of organic solar cells." Organic Electronics 67 (2019): 95-100. 3，Li, Yungui, et al. "Ultrathin MoO3 Layers in Composite Metal Electrodes: Improved Optics Allow Highly Efficient Organic Light‐Emitting Diodes." Advanced Optical Materials 7.3 (2019): 1801262. |
| 性状 | 材料名称
Name MoO3 性质分类 Electrical properties 层状氧化物 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号