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HfTe2 碲化铪

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13081332722-1g 超高纯 0 ￥2000
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参考文献：

1， Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953.

2，Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148.

3，Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2− x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394.
性状 晶体种类： Semiconductor
纯度： >99.999 %
表征方法： EDS，SEM，Raman
bandgap： 0 eV
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