本网站销售的所有产品仅用于工业应用或者科学研究等非医疗目的，不可用于人类或动物的临床诊断或者治疗，非药用，非食用。
ZrTe3 拓扑绝缘体
英文名：
Cas号：
Cas号：
检测信息查询
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献：
1， Felser, C., et al. "Electronic properties of ZrTe3." Journal of Materials Chemistry 8.8 (1998): 1787-1798. 2， Hoesch, Moritz, et al. "Disorder Quenching of the Charge Density Wave in ZrTe 3." Physical review letters 122.1 (2019): 017601. 3，Geremew, A., et al. "Current carrying capacity of quasi-1D ZrTe 3 van der Waals nanoribbons." IEEE Electron Device Letters 39.5 (2018): 735-738. |
| 性状 | 材料名称
Name ZrTe3 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号