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GaPS4晶体
英文名:
Cas号:
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检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 13081331111 | 大于10平方毫米 | 0 | ¥3120 | |||
| 13081331112 | 大于20平方毫米 | 0 | ¥5120 |
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献
1, Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868. |
| 性状 | 材料名称
Name GaPS4 性质分类 Electrical properties 拓扑材料,半导体 禁带宽度 Bangap 2.322 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定,不需要特殊保存 Stable |
| 贮存 |
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