氮化铜

英文名:COPPER(I) NITRIDE
Cas号:1308-80-1
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别 名 氮化铜;氮化铜(I), 99.5% (METALS BASIS);氮化铜(I)
Cas号 1308-80-1
M D L
分子式 Cu3N
分子量 204.64
产品参数 熔点 300°C
密度 5.840
形态cubic crystals
水溶解性 decomposes in H2O [CRC10]
氮化铜是一种共价键金属氮化物,

在空气中常温下稳定,在氧气中400℃时则激烈氧化。

在真空中约从450℃开始分解。

溶于稀酸(生成铵盐),在浓硫酸、浓硝酸中激烈分解。

晶态的氮化铜是简立方的结构,晶格常数为0.3817nm。

氮化铜薄膜是棕褐色的半透明薄膜,

其在湿度为95%,温度为60℃的条件下放置15个月后与初始相比,

没有任何光学性能的改变。

氮化铜粉末晶体处于非稳态相,颜色为紫黑色,

其在真空中360℃左右发生分解,即2Cu3N=6Cu+N2反应。
性状 氮化铜是一种在常温下处于亚稳态的半导体材料,它的热分解温度仅为300-450℃,有较高的电阻率以及在红外光和可见光波段有较低的反射率,已成为目前光电存储和电子集成领域中倍受人们青睐的新材料。

(1)光存储

氮化铜薄膜的低温热分解特性和可见光、红外波段反射率低的特点,为它在光存储的应用创造了可能性。经过热处理后的氮化铜薄膜的反射率明显增加,曲线与直接溅射得到的Cu膜较为接近:尤其在765nm处,氮化铜薄膜的反射率从20.5%增大到86.5%,这与Cu膜的88.4%非常接近。这说明氮化铜薄膜在此光波段反射系数的明显差异,为氮化铜薄膜成为新型光记录介质提供了极大的可能。

(2)太阳能电池

太阳能电池是半导体材料与新型材料在应用领域的最重要目标之一,氮化铜薄膜就具有在这一领域的潜力:采用调节氮化用薄膜中化学成分配比的手段,能够优化它的光学带隙使得光伏电压可以达到最大。

(3)金属化的应用

当对氮化铜薄膜加热或用电子束、离子束、光线照射到薄膜表面时,它就会有金属铜产生。

(4)锂电池负极材料

由于氮化铜的可多种离子掺杂特性,其有可能成为一种性能优异的锂电池负极材料。
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